基本信息
| 标准名称： | 硅多晶 |
| 英文名称： | Polycrystalline silicon |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 元素半导体材料 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 替代情况： | 替代GB 12963-1991;被GB/T 12963-2009代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1996-01-01 |
| 实施日期： | 1997-04-01 |
| 首发日期： | 1991-06-04 |
| 作废日期： | 2010-06-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业总公司 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 峨嵋半导体材料厂 |
| 起草人： | 王鸿高、尹建华、刘文魁、吴福立 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1997-04-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：6， 字数：6千字 |
适用范围
本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单晶。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 元素半导体材料 电气工程 半导体材料